9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台（简称“G5平台”）实现量产，公司还同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。

据介绍，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

G5微缩工艺的突破，推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%（均换算为8Gb颗粒基准统计），在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

本次大会上，长鑫存储同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

中高端智能手机的搭载应用已有实质性进展。近日，全球首款AI智能体手机——搭载豆包AI手机助手消费者版本的努比亚NaviX Ultra发售。长鑫存储微博发文称，努比亚NaviX Ultra搭载长鑫最高速率10667Mbps的LPDDR5X内存。这也是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。更早之前，长鑫LPDDR6内存在小米18 Fold新折叠旗舰手机首发搭载。据长鑫科技半年报，公司LPDDR6芯片性能较LPDDR5X实现全面跃升，峰值速率达12800Mbps。小米集团创始人雷军彼时也在社交平台称：“我相信，这只是开始，将来还会有更多优秀的中国科技企业，强强联合，勇攀高峰”。

过去，手机高端LPDDR高速内存市场一直被海外巨头把控，长鑫存储打入旗舰手机供应链，不只是单一产品的落地，更是国产存储芯片在消费电子高端市场的一次关键突围。

长鑫存储表示，G5平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，能够为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案。未来，公司将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。